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三星電子宣布全球首款3奈米晶片量產

2022-07-01


資料來源： 綜整自韓國韓聯社、中央日報等主流媒體(2022年6月30日)


 1. 本(6月30)日三星電子宣佈，旗下華城工廠已利用3奈米(1奈米=10億分之1米)環繞閘極（GAA）架構開始量產首批晶片，成為全球首家量產3奈米晶片之半導體晶圓代工廠。
  2. 三星電子前曾公布稱，將在今年上半年量產GAA 3奈米製程晶片，2023年推出第2代3奈米晶片，2025年量產2奈米晶片。上(5)月20日美國總統拜登和尹錫悅總統訪問三星電子平澤工廠時，三星就曾介紹3奈米晶片之晶圓片，雙方領袖並在3奈米晶圓片試製品上簽名。
3. 稍早三星電子副董事長李在鎔赴歐洲出差與荷蘭半導體設備製造商ASML首席執行長見面，展現三星對搶占超精細工藝市場的重視。ASML是儲存晶片和晶圓代工精細加工製程所需的極紫外線光刻機(EUV)唯一供應商。當時李在鎔在出差回國路上表示:「第一是技術，第二也是技術，第三還是技術」。
4. 目前半導體製程普遍採用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，惟此技術在4奈米以下製程中存在局限性。三星投資研發20年以上的GAA技術使用四面環閘結搆，可更好地控制電流走向，提高耗電效率。因此，GAA技術被視為人工智能(AI)和大數據等對高性能、低功耗所需新一代晶片的核心技術。
5. 晶圓代工市場領頭羊台積電(TSMC)表示，計劃今年年底量產的3奈米晶片仍使用現有FinFET技術，計劃2025年上半年從2奈米製程開始使用GAA技術。也就是說，業界排名第一、第二的晶片製造商在3奈米製程中分別使用了FinFET和GAA兩種不同技術。重回晶圓代工市場的美國英特爾也計劃在3奈米製程中使用FinFET技術，2奈米製程開始採用GAA技術。
6. 韓國科學技術院(KAIST)電氣電子工程系教授金禎浩分析，其實使用FinFET技術也可製作3奈米，惟三星採用GAA技術，此舉視為三星對台積電挑戰。金教授表示，成品良率將是三星要解決的一大課題，成品良率只要能達到60~70%，可算作成功，但關鍵是要在量產過程中能提高成品良率，估計三星應需相當長時間才能達到實際獲利的80~90%良率。